|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: L3 8MB, DMI, 80W, 22nm Tray
Искать " L3 8MB, DMI, 80W, 22nm Tray" в других поисковых системах: GoogleL3 8MB, DMI, 80W, 22nm TrayИнформация по: L3 8MB, DMI, 80W, 22nm Tray- Китай создал собственный транзистор по технологии 22-нм
Институт микроэлектроники китайской академии наук (IMECAS) объявил о создании МОП-транзистора по технологии high-K metal-gate с длинной затвора 22 нм. По заявлению IMECAS, это полностью спроектированное и созданное в Китае устройство имеет лучшие в мире характеристики в своем классе и низкую рассеиваемую мощность . По сообщению китайского информационного агентства Синьхуа, разработанная в Китае 22-нм технология производства микросхем сэкономит деньги КНР при импорте иностранных чипов и повысит ... - STMicroelectronics пополнила портфолио датчиков движения
Компания STMicroelectronics пополнила портфолио датчиков движения цифровым высокопроизводительным 3-осевым гироскопом L3G4200DH , который содержит FIFO буфер для более интеллектуального управления энергопотреблением. 3-осевой гироскоп L3G4200DH с интегрированным блоком FIFO имеет возможность сохранять до 96 уровней данных осей X, Y, Z (32 набора выборок для каждой оси). Эта особенность избавляет от необходимости непрерывной коммуникации host-контроллера с датчиком для получения данных, ... - МЭМС-датчики STMicroelectronics
Константин Староверов (г. Донецк) В статье рассказывается о трехосевых гироскопах L3G4200D/DH с цифровым выходом и модулем цифрового компаса LSM303DLH от лидера МЭМС-индустрии компании STMicroelectronics. Эти приборы отличаются улучшенными рабочими характеристиками и находят разнообразное применение в системах навигации, системах безопасности, промышленной электронике, в 3D-пультах дистанционного управления и др. Компания STMicroelectronics (STM), ставшая по мнению авторитетной аналитической ...
|